Diodos de potência de carboneto de silício de 1,7 kV e 1,2 kV

Os dispositivos UJ3D 1.200 V e 1.700 V fazem parte da 3ª geração de diodos ‘PiN-Schottky’ (MPS) da empresa.

A figura de mérito Vf x Qc é enfatizada pela empresa. Escolhendo um dos quatro aleatoriamente, isso normalmente é 1,4 V x 51 nC (25 ° C, 10 A, 800 V) para o 1,2 kV 10 A UJ3D1210K2. A tensão direta típica aumenta para 1,85 V ar 150 ° C.

As outras partes são:

• UJ3D1725K2 (1.700V 25A)
• UJ3D1220K2 (1.200 V 20 A)
• UJ3D1250K2 (1.200 V 50 A)

O pacote para todas as peças é TO-247-2L. “Ter uma folga> 8,8 mm entre o ânodo e o cátodo significa que eles são melhores para lidar com ambientes de alta poluição, onde os transientes de tensão podem estar presentes”, de acordo com a empresa.

Corrente de surto máxima não repetitiva id 110A (110 ° C, 10 ms meio seno) no UJ3D1210K2. “Em situações de alta corrente, o novo arranjo de junção PN permite a injeção de portadores de carga adicionais”, disse a empresa. “Graças a isso, os diodos podem suportar até 12x a corrente nominal.”

Todos estão em conformidade com o padrão automotivo AEC-Q101 e também estão disponíveis na forma de matriz.

As aplicações são esperadas em pontos de acesso de veículos elétricos de carga rápida, motores industriais e inversores de energia solar.

A página do produto UJ3D1210K2 está aqui