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Mosfets de 1200 V Sic líder da indústria
Os MOSFETs de 1200 V SiC com resfriamento superior fornecem melhor resfriamento, configuração fácil e desempenho confiável para o uso industrial e as estações de carregamento EV.
A Nexperia lançou uma série de MOSFETs de carboneto de silício de 1200 V (SIC) projetados para aplicações industriais, com forte estabilidade térmica em um pacote resfriado do lado superior da montagem de superfície (SMD) chamado X.Pak.Com um design compacto de 14 mm x 18,5 mm, o X.Pak combina a facilidade de montagem do SMD com os benefícios de resfriamento da tecnologia de orifício por meio do buraco, melhorando a dissipação de calor.Esta versão atende à demanda por MOSFETs SIC discretos em aplicações de alta potência, como sistemas de armazenamento de energia da bateria (BESS), inversores fotovoltaicos, acionamentos motores, fontes de alimentação ininterrupta (UPS) e estações de carregamento EV.
Este produto é adequado para engenheiros que trabalham em sistemas de alta potência e em estações de carregamento EV.Também é útil para os fabricantes que precisam de um melhor gerenciamento de refrigeração e energia, designers de PCB e equipes de montagem usando seu resfriamento superior para facilitar a produção e as equipes de P&D, criando soluções avançadas de energia.
O pacote X.PAK aprimora o desempenho térmico, reduzindo a dissipação de calor através do PCB, mantendo baixa indutância para componentes de montagem de superfície e permitindo o conjunto da placa automatizada.
Os SiC MOSFETs oferecem excelentes figuras de merita (FOM), particularmente em RDS (ON), um fator-chave nas perdas de condução.Enquanto muitos fabricantes se concentram nos valores nominais de RDS (ON), que podem dobrar como as temperaturas aumentam, os dispositivos da Nexperia mostram apenas um aumento de 38% em uma faixa operacional de 25 ° C a 175 ° C, garantindo um desempenho mais estável e eficiente.
"A introdução de nossos MOSFETs do SIC em X.PAK embalagem marca um avanço significativo no gerenciamento térmico e na densidade de energia para aplicações de alta potência", disse Katrin Feurle, diretor sênior e chefe de discretos e módulos da SIC em Nexperia."Esta nova opção de produto resfriado de primeira linha se baseia em nossos lançamentos bem-sucedidos de MOSFETs SIC discretos nos pacotes TO-247 e SMD D2PAK-7. Ele ressalta o compromisso da Nexperia em fornecer aos nossos clientes o portfólio mais avançado e flexível para atender às suas necessidades de design em evolução".