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Empurrando a largura de banda da memória para a era da IA
Com interfaces de E/S duplicadas e design refinado de TSV de baixa tensão, o HBM4 remodela a forma como as pilhas de memória sustentam a taxa de transferência sob cargas de escala de data center.
A Samsung Electronics lançou sua memória HBM4 e iniciou a produção em massa, marcando o que descreve como uma inovação no setor para o padrão de memória de alta largura de banda da próxima geração.O dispositivo tem como alvo cargas de trabalho de computação de IA e data centers que exigem maior rendimento e eficiência energética.
Construída usando o processo DRAM de classe 10 nm de sexta geração (1c) da empresa e uma matriz lógica de 4 nm, a nova pilha de memória foi projetada para maximizar o desempenho, a confiabilidade e a eficiência energética.A arquitetura oferece uma velocidade consistente de transferência de dados de 11,7 Gbps, com desempenho escalável até 13 Gbps.Isso excede o benchmark da indústria de 8 Gbps em cerca de 46% e representa um aumento de 1,22x em relação à velocidade máxima de pin de 9,6 Gbps do HBM3E.
A largura de banda total por pilha atinge até 3,3 TB/s, um aumento de 2,7x em comparação com seu antecessor.Usando a tecnologia de empilhamento de 12 camadas, as capacidades variam de 24 GB a 36 GB, com uma configuração futura de 16 camadas planejada para estender a capacidade até 48 GB.
Para lidar com a duplicação de E/S de dados de 1.024 para 2.048 pinos, técnicas avançadas de design de baixo consumo de energia foram integradas ao núcleo.A memória alcança uma melhoria de 40% na eficiência energética através da tecnologia de baixa tensão através de silício via (TSV) e otimização da rede de distribuição de energia.A resistência térmica melhora em 10%, enquanto a dissipação de calor aumenta em 30% em comparação com o HBM3E.
Uma co-otimização de tecnologia de design (DTCO) totalmente integrada entre as operações de fundição e de memória oferece suporte ao controle de rendimento e qualidade, enquanto os recursos avançados de embalagem internos ajudam a agilizar os ciclos de produção.
Sang Joon Hwang, vice-presidente executivo e chefe de desenvolvimento de memória da Samsung, afirma: “Ao alavancar nossa competitividade de processos e otimização de design, somos capazes de garantir um espaço de desempenho substancial, permitindo-nos satisfazer as crescentes demandas de nossos clientes por maior desempenho, quando eles precisam.”