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BUK952R8-60E,127

Mfr# BUK952R8-60E,127
Mfr. NXP Semiconductors / Freescale
Descrição MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Estado de RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Mais Informações Aprenda mais sobre NXP Semiconductors / Freescale BUK952R8-60E,127
Fichas de dados

Descrição

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  • Disponível:5464 pcs
  • Em ordem:0 pcs
  • Mínimo:1 pcs
  • Múltiplos:1 pcs
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Modelo do Produto BUK952R8-60E,127
Fabricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrição MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 5464 pcs
Fichas de dados
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA
Vgs (Max) ±10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB
Série TrenchMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 2.6 mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max) 349W (Tc)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-220-3
Outros nomes 568-9862-5
934066522127
BUK952R860E127
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 17450pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 5V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 60V
Descrição detalhada N-Channel 60V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)

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